AO4807_101

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗出色的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AO4807_101，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的双P沟道MOSFET阵列，以其卓越的性能和紧凑的设计，正成为工程师们应对复杂功率管理挑战的得力助手。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的智慧之选。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或负载开关电路中，需要高效、可靠地控制电流的通断。AO4807_101正是为此而生。其30V的漏源电压和6A的连续漏极电流能力，为中小功率应用提供了坚实的保障。更令人心动的是其逻辑电平门驱动特性，意味着它可以直接与微控制器或低压逻辑电路轻松对接，极大地简化了您的驱动电路设计，让系统集成变得前所未有的顺畅。无论是便携式设备中的电池保护电路，还是工业自动化中的精密控制单元，它都能游刃有余，确保能量高效、精准地传递。

选择AO4807_101，就是选择了一份放心的承诺。其低至35毫欧的导通电阻，显著降低了导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的能效，让您的产品在续航和温控方面表现更出色。高达150°C的结温工作范围，赋予了它应对严苛环境与突发过载的强悍韧性，保障了系统长期运行的稳定性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其在特定应用和现有产品维护中依然具有极高的价值。对于寻求稳定供应与专业支持的客户，我们建议您联系官方AOS总代理，以获取关于替代型号或库存解决方案的最权威信息。这颗集成在紧凑8-SOIC封装中的双MOSFET，以其高性价比和卓越性能，无疑是您优化PCB空间、提升整体设计档次的明智之选。

• 型号:AO4807_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4807_101的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。