




AO4822AL_102
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
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AO4822AL_102参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次元器件的选择都至关重要。今天,我们为您隆重介绍一款在中小功率开关应用中表现卓越的功率管理解决方案AO4822AL_102。这款由业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的双N沟道MOSFET,以其出色的性能参数和稳定的品质,正成为众多工程师在电源转换、电机驱动和负载开关等项目中的信赖之选。它不仅是一颗芯片,更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键伙伴。
想象一下,在您的便携式设备、DC-DC转换模块或电池管理系统中,需要高效、紧凑的功率开关。AO4822AL_102正是为此而生。其30V的漏源电压和8A的连续漏极电流能力,轻松应对常见的低压大电流场景。更令人印象深刻的是,其极低的导通电阻(典型值仅19毫欧@8A,10V),意味着在开关过程中产生的热量损耗被大幅降低,直接提升了整机效率并简化了散热设计。无论是驱动小型电机、控制LED灯带,还是在电源路径管理中实现快速、干净的开关动作,它都能游刃有余,让您的产品在能效和响应速度上脱颖而出。
为什么越来越多的设计团队将目光投向AO4822AL_102?答案在于其综合价值。首先,逻辑电平门驱动(Vgs(th)最大仅2.4V)的特性,使其能够与大多数微控制器和逻辑电路直接兼容,无需复杂的电平转换电路,简化了设计并节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。其次,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗,这对于高频开关应用至关重要,能显著提升系统动态性能。最后,其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)和表面贴装(8-SOIC)的封装形式,赋予了产品卓越的环境适应性和高可靠性,满足从消费电子到工业控制等多种严苛环境的需求。选择它,就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效。
尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用基础,使其在特定项目和库存解决方案中依然具有重要价值。对于正在寻找可靠替代方案或仍有项目需求的客户,通过正规的AOS中国代理渠道,您依然有机会获取高质量的货源和专业的技术支持,确保您的生产与研发计划顺利进行。让AO4822AL_102的卓越性能,继续为您的创新产品注入强劲而可靠的动力。
- 型号:AO4822AL_102
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):888pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- AO4822AL_102的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























