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AOTF4N90

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF4N90参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重塑您对高性能功率开关认知的卓越产品AOTF4N90。它不仅仅是一个MOSFET,更是您通往更高效率、更稳定运行和更紧凑设计的通行证。凭借其高达900V的惊人耐压能力和优化的动态特性,AOTF4N90天生就是为应对严苛的工业环境而生,它能轻松化解高电压带来的挑战,将系统的稳定性和寿命提升到一个全新的高度。

想象一下,在您的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动或是不间断电源(UPS)系统中,AOTF4N90将如何大放异彩。它那4A的连续电流处理能力,结合仅为3.6欧姆的低导通电阻,意味着在导通状态下损耗极低,电能得以更高效地传递,直接为您带来更低的温升和更高的整体能效。无论是面对工业自动化设备的频繁启停,还是应对新能源逆变器中的复杂功率变换,这颗芯片都能以出色的开关速度和稳健的栅极驱动特性,确保每一次切换都精准、迅速,大幅减少开关损耗,让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的性能脱颖而出。

选择AOTF4N90,就是选择了一份安心与远见。其TO-220-3F的经典封装,不仅提供了优异的散热性能和机械强度,也简化了您的生产流程。宽广的-55°C至150°C工作结温范围,让它无惧严寒酷暑,在各种极端环境下依然保持稳定输出。更低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着驱动电路可以更简单、更高效,进一步降低了系统复杂度和成本。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率解决方案时,AOTF4N90无疑是那个能让设计工程师信心倍增的选择。我们建议您通过官方授权的AOS代理商获取正品芯片和技术支持,以确保获得最佳的产品性能与可靠的服务保障,让您的创新想法毫无后顾之忧地变为现实。

  • 型号:AOTF4N90
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):880 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):37W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF4N90的官网价格:1000:$0.68838,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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