AO7414_001

在追求极致效率的电子设计世界中，每一处空间和每一份功耗都至关重要。今天，我们为您带来一款在紧凑身躯内蕴藏强大能量的解决方案AO7414_001。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和可靠性，正成为众多工程师在空间受限应用中的首选。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效能、实现设计精简化的得力助手。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或超薄型消费电子产品中，需要一颗既高效又节省空间的功率开关。AO7414_001正是为此而生。其SC-70-3的超小型封装，让它在电路板上几乎不占空间，却能在20V电压和2A电流下稳定工作，轻松应对负载开关、电源管理、电机驱动等关键任务。无论是电池供电设备中延长续航，还是在高速信号路径中实现快速切换，它都能以极低的导通电阻（低至62毫欧）和出色的热性能，确保能量损失最小化，系统运行更凉爽、更持久。

选择AO7414_001，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠性与AOS前沿技术的结合。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为特定项目或库存备货的经典之选。它的驱动门槛低（Vgs(th)最大仅1V），与多种逻辑电平兼容，让您的设计集成过程无比顺畅。更重要的是，通过与值得信赖的AOS代理合作，您可以获得关于产品生命周期、替代方案以及技术支持的全面服务，确保您的供应链稳定无忧。让这颗高效能的小芯片，成为您下一个创新产品中默默奉献却不可或缺的英雄。

• 制造商产品型号：AO7414_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.8nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SC-70-3
• AO7414_001的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。