




AOB1100L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB1100L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天,我们向您隆重介绍一款专为严苛应用而生的功率开关解决方案AOB1100L。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统性能、降低整体能耗、并确保长期稳定运行的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理封装,AOB1100L正重新定义中高功率密度应用的性能标杆,让您的设计从“能用”飞跃到“卓越”。
想象一下,在您的高效服务器电源中,需要一颗开关器件以极低的损耗处理百伏级别的电压和数十安培的电流;或者在您的新能源汽车车载充电器(OBC)里,对功率转换单元的效率和热管理有着近乎苛刻的要求;又或者,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)以及各类高可靠性电源模块中,稳定性和耐用性永远是第一位的考量。这些正是AOB1100L大展身手的舞台。其100V的耐压和高达130A(Tc)的脉冲电流能力,使其能够从容应对各种瞬态冲击和持续负载,而超低的11.7毫欧导通电阻,则意味着更少的导通损耗和发热,直接为您带来更高的系统效率和更简洁的散热设计。
选择AOB1100L,就是选择了一份放心的保障和显著的性能提升。其采用成熟的TO-263(DPak)封装,不仅提供了优异的散热路径,确保芯片结温在高达175°C的宽广工作范围内稳定运行,其强大的500W(Tc)耗散能力更是为系统留足了安全余量。更低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,让开关过程更加迅速、干净,有效降低了开关损耗和驱动电路的负担,让您的电源设计在高频化道路上走得更远、更稳。当您寻求顶级的元器件支持时,别忘了我们作为值得信赖的AOS一级代理,不仅能为您提供原装正品的AOB1100L,更能带来专业的技术选型支持和供应链保障,让您的创新之路畅通无阻。立即将AOB1100L纳入您的下一代设计,亲身体验它如何为您的产品注入强劲而高效的核心动力。
- 型号:AOB1100L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta),130A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.7 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):100 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4833 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),500W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB1100L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























