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AON6413

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6413参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍一款在电源管理与负载开关应用中表现卓越的功率器件AON6413。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是您提升产品性能、简化设计流程、确保稳定运行的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AON6413能够为您的应用注入澎湃动力与非凡的可靠性,让您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在您的便携式设备、电池保护板、DC-DC转换器或电机驱动电路中,需要一颗能够高效控制电流通断、同时将能量损耗降至最低的开关。这正是AON6413大显身手的舞台。其30V的漏源电压和高达32A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种中压大电流场景。无论是为高性能处理器提供纯净的电源轨,还是在紧凑的空间内实现高效的负载切换,AON6413都能以极低的导通电阻(低至8.5毫欧)确保能量传输路径畅通无阻,显著减少发热,提升系统整体能效。这意味着更长的电池续航、更小的散热设计以及更凉爽、更安静的用户体验。

那么,在众多同类产品中,为何AON6413是您明智的选择?答案在于它卓越的性能与易用性的完美平衡。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,意味着它能够被快速驱动,实现高速开关,从而减少开关损耗,特别适合高频应用。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在严苛环境下依然稳定如初。紧凑的8-DFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的散热特性(最大功率耗散达48W Tc)也让高功率密度设计成为可能。选择AON6413,就是选择了一份由尖端技术与可靠工艺背书的高性能保障。如需获取官方正品与专业的技术支持,我们推荐您联系AOS总代理,确保您的设计获得原厂级的品质与服务。

  • 型号:AON6413
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2142 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6413的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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