AOB125A60L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能重新定义设计的边界。今天，我们为您隆重介绍AOB125A60L这不仅仅是一颗MOSFET，更是AOS aMOS5技术家族中的性能标杆，专为那些对效率、功率密度和稳定性有着严苛要求的应用而生。想象一下，将高达600V的阻断电压与28A的强大电流承载能力，浓缩于一个经典的TO-263封装之中，它所带来的不仅是空间的节省，更是系统整体性能的飞跃。其低至125毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的能源转换效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，天生就拥有更冷静、更持久的运行优势。

这颗芯片的能量，正在驱动着各行各业的创新脉搏。无论是工业自动化中不可或缺的电机驱动与变频器，还是不断演进的新能源领域如太阳能逆变器、储能系统，亦或是高可靠性的服务器电源和通信基础设施，AOB125A60L都能游刃有余地扮演着高效电能开关的关键角色。它卓越的开关特性与低栅极电荷，让高频开关应用变得轻松而高效，显著提升电源的功率密度。在电动汽车充电桩、不间断电源(UPS)等对效率和可靠性要求极高的场景中，它更是稳定运行的坚实保障。选择它，就是为您的核心动力单元注入一颗强劲而可靠的心脏。

那么，为何众多领先的设计师和工程师都将AOB125A60L作为首选？答案在于其背后无与伦比的综合价值。AOS先进的aMOS5技术平台确保了器件在性能与鲁棒性上的完美平衡，高达357W的功率耗散能力提供了充足的设计余量。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能够从容应对各种严酷的环境挑战。更重要的是，通过与值得信赖的AOS一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持、稳定的供货周期以及深度的产品资源，确保您的项目从研发到量产一路畅通。这不仅仅是一次元器件采购，更是获得了一个长期、可靠的技术与供应链伙伴。立即采用AOB125A60L，让它成为您下一代高性能设计的秘密武器，共同开启能效新纪元！

• 型号:AOB125A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2993 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB125A60L的官网价格：1:$6.08000|800:$2.31741，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。