AOTF2142L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOTF2142L。这颗N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，正重新定义着中高功率应用的效率标准。想象一下，在您的电源转换、电机驱动或负载开关系统中，它能以高达112A的连续电流承载能力和低至1.9毫欧的导通电阻，将能量损耗降至前所未有的低点，这意味着更低的发热、更高的系统效率，以及最终为用户带来的显著成本节约和性能提升。

无论是工业自动化中驱动强劲的伺服电机，还是数据中心服务器电源需要稳定高效的能量分配，亦或是新能源领域如太阳能逆变器对可靠性的严苛要求，AOTF2142L都能游刃有余。其40V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在各种复杂、严酷的环境下都能稳定工作，成为工程师应对挑战、实现创新设计的坚实后盾。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐久的基因。

那么，为何众多领先企业将AOTF2142L作为其关键设计的首选？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷与优化的开关特性，让您的系统能够轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小被动元件体积，优化整体方案尺寸。TO-220F封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也确保了在振动环境下的长期连接可靠性。当您寻求一个能同时兼顾高性能、高可靠性和出色性价比的解决方案时，AOTF2142L无疑是最明智的选择。要获取这颗芯片的详细技术资料或进行采购，您可以随时联系我们的AOS代理，他们将为您提供专业的技术支持与便捷的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:AOTF2142L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 112A TO220F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):112A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF2142L的官网价格：1000:$1.32871，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。