AOB20C60L

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOB20C60L。这款高性能N沟道MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达20A的连续电流承载，为您的高压、高功率应用场景注入澎湃动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、增强产品稳定性的得力伙伴，让每一次能量转换都精准而高效。

想象一下，在工业电机驱动系统中，它能够轻松应对频繁的启停和负载变化，确保电机平稳运行；在服务器电源或通信电源模块里，它凭借低至250毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，将宝贵的电能更多地输送给负载，而非转化为热量浪费掉；即便是在要求严苛的太阳能逆变器或UPS不间断电源中，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的功率耗散能力（463W），也能确保设备在复杂环境下长期稳定工作，无惧挑战。无论是需要高效能量管理的消费类电源，还是对可靠性有极致追求的工业设备，AOB20C60L都能完美融入，成为您电路设计中值得信赖的基石。

选择AOB20C60L，就是选择了一份安心与卓越。其采用经典的TO-263（DPak）封装，不仅提供了优异的散热性能，便于您的PCB布局与热管理设计，更确保了大规模生产中的焊接一致性与可靠性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的性能，以及可能存在的库存或替代方案，依然使其成为许多经典设计或特定需求项目的理想选择。若您需要获取此型号的详细信息、技术支持或探讨可行的供应方案，我们建议您联系官方授权的AOS代理，他们将为您提供专业、精准的服务，助您扫清选型与采购过程中的一切障碍。让AOB20C60L的强悍性能，为您的下一个创新项目保驾护航！

• 型号:AOB20C60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:463W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB20C60L的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。