




AON6403
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
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AON6403参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,一颗优秀的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够重新定义电源管理效率的明星产品AON6403。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是您实现高效、紧凑、可靠电源解决方案的强大引擎。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理特性,AON6403正迅速成为工程师们在面对严苛设计挑战时的首选,帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在您的便携式设备、电池管理系统或高密度DC-DC转换器中,需要一颗能够在有限空间内处理大电流、同时将能量损耗降至最低的开关器件。这正是AON6403大显身手的舞台。其30V的漏源电压和高达21A(Ta)/85A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种中压大电流应用。无论是为高性能笔记本电脑提供稳定的电源通路,还是在电动工具中实现高效的电机控制,亦或是在服务器电源模块中担任关键开关角色,AON6403都能以出色的稳定性和极低的导通损耗,确保系统心脏强劲而持久地跳动。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,更是赋予了产品无与伦比的环境适应能力,从容应对从极寒到酷热的任何考验。
那么,在众多同类产品中,为何独独选择AON6403?答案在于它无与伦比的“价值密度”。首先,其超低的3.1毫欧导通电阻(在20A,10V条件下)直接转化为更少的发热和更高的系统效率,这意味着更长的电池续航、更小的散热器需求以及更低的整体运营成本。其次,优化的栅极电荷(196nC @ 10V)与输入电容特性,确保了快速干净的开关动作,不仅能减少开关损耗,还能简化驱动电路设计,让您的系统响应更迅捷。最后,采用先进的8-DFN(5x6)封装,AON6403在提供强大功率处理能力的同时,保持了极小的占板面积,是空间受限型应用的理想选择。选择AON6403,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的保证。若您正在寻找稳定可靠的货源与技术支援,我们推荐您通过官方AOS授权代理进行采购,以确保获得原厂正品与完整的售后服务,为您的项目成功保驾护航。
- 型号:AON6403
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/85A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):196 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9120 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6403的官网价格:1:$3.08000|3000:$0.91721,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























