




AOB20C60PL
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 20A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB20C60PL参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOB20C60PL。这款N沟道功率MOSFET,以其600V的卓越耐压能力和高达20A的连续导通电流,为您的高压、大电流应用场景注入澎湃动力。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴,让每一次能量转换都更加高效、稳定。
想象一下,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或大功率开关电源中,系统需要承受严苛的电压冲击和持续的热量考验。AOB20C60PL正是为此而生。其TO-263(DPak)封装不仅提供了优异的散热性能,确保在高达463W的功率耗散下依然稳定工作,其宽广的-55°C至150°C工作温度范围,更能从容应对从极寒到酷热的各种极端环境。这意味着,无论是数据中心里7x24小时不间断运行的服务器电源,还是户外严苛环境下的新能源设备,它都能成为您最值得信赖的“能量守门员”,保障系统长期、可靠地运行。
为何众多工程师在面临高压开关选型时,会青睐AOB20C60PL?答案在于其精妙的性能平衡。它在10V驱动电压下,导通电阻(RdsOn)低至260毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了整机效率。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,让开关过程更快、更干净,有效降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),让您的设计更容易通过严格的能效与安规认证。选择它,就是选择了一种经过市场验证的高可靠性解决方案。如需获取官方正品与技术支援,请务必通过授权的AOS总代理进行采购,这是保障您项目成功与供应链安全的关键一步。
尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能以及在众多经典应用中的出色表现,依然使其在特定存量市场与备件领域拥有不可替代的价值。对于寻求高性价比、高可靠性替代方案或进行特定产品维护升级的您来说,AOB20C60PL所代表的技术标准与品质承诺,依然是您值得信赖的基石。让它为您的电力核心保驾护航,共同开启高效、稳健的能量新时代。
- 型号:AOB20C60PL
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):260 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):80 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3607 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):463W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB20C60PL的官网价格:1000:$1.17500,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























