AOTF7S65

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍AOTF7S65来自AOS aMOS家族的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键伙伴。凭借高达650V的漏源电压和7A的连续电流承载能力，它为您的高压应用场景注入了澎湃而稳定的动力源泉，让设计边界得以无限拓展。

想象一下，无论是工业级开关电源、电机驱动控制，还是不断电系统(UPS)和功率因数校正(PFC)电路，AOTF7S65都能游刃有余地扮演核心开关角色。其卓越的电气特性，例如在10V驱动电压下仅650毫欧的低导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，整体能效显著提升。而高达35W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是赋予了它应对严苛环境与突发负载的非凡韧性，确保系统7x24小时稳定运行。

选择AOTF7S65，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。其TO-220-3F封装不仅提供了优异的散热性能和便捷的通孔安装方式，更代表了经典的工业级可靠性。优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数，让开关过程更为迅速、干净，有效减少了开关损耗，并简化了驱动电路的设计难度。当您致力于打造更节能、更紧凑、更具成本竞争力的下一代产品时，这颗芯片无疑是您物料清单上的明智之选。如需获取样品、技术资料或批量采购支持，我们的官方AOS代理网络随时准备为您提供专业、快捷的服务，助您将创新构想加速转化为市场领先的产品。

• 型号:AOTF7S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF7S65的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。