AOB2502L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您带来一款能够重新定义性能标准的功率器件AOB2502L。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您应对高功率密度、高效率挑战的得力伙伴。凭借其高达150V的漏源电压和惊人的106A连续漏极电流能力，它天生就是为处理严苛的功率任务而生，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的车载充电器或光伏逆变器，AOB2502L都能在其中扮演至关重要的“能量开关”角色。它的超低导通电阻（低至10.7毫欧）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行成本。在需要快速响应的开关电源中，其优化的栅极电荷特性确保了更快的开关速度和更低的开关损耗，让您的产品不仅高效，而且响应敏捷。面对复杂的电磁环境，其稳健的Vgs耐受能力和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了坚实的可靠性保障，确保您的设备在各种极端条件下都能稳定运行，无惧挑战。

那么，在众多选择中，为何要坚定地选择AOB2502L？答案在于它为您带来的综合价值飞跃。它完美平衡了性能、效率与成本，其TO-263（D2Pak）封装兼顾了出色的散热能力与成熟的表面贴装工艺，简化了您的生产流程。这颗芯片是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）尖端技术的结晶，代表了业界领先的功率半导体解决方案水平。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质和持久可靠性。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴，我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供专业的技术支持和便捷的供应链服务，助您将创新的想法迅速转化为成功的产品。让AOB2502L成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOB2502L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 106A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):106A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3010 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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