AOTF7N60FD

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们向您隆重推荐一款集卓越性能与出色可靠性于一身的功率MOSFETAOTF7N60FD。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。凭借其高达600V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，它为您的高压开关应用提供了坚实的保障，让能量转换过程更加顺畅、损耗更低。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，AOTF7N60FD正扮演着高效“交通指挥官”的角色。它能够轻松应对AC-DC适配器、工业电源、照明镇流器以及家用电器中的各种严苛工况。其优化的动态特性，例如低至1.45欧姆的导通电阻和仅25nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接为您带来系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让您的设备运行更凉爽、更持久。

选择AOTF7N60FD，就是选择了一份安心与超越。它采用坚固的TO-220-3F封装，提供出色的通孔安装可靠性和散热能力，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这颗来自行业领先者AOS（Alpha & Omega Semiconductor）的精品，继承了其尖端MOSFET技术的一贯高品质。当您寻求稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的AOS总代理团队随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。无论是升级现有方案还是开发全新产品，AOTF7N60FD都能以卓越的电气性能和坚固的物理特性，助您轻松攻克设计挑战，将高效、紧凑、可靠的产品更快地推向市场。

• 型号:AOTF7N60FD
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.45 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:995 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:39W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF7N60FD的官网价格：1000:$0.80542，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。