AOB262L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB262L一款由业界领先的AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）倾力打造的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、突破设计瓶颈的关键引擎。想象一下，将高达60V的漏源电压和惊人的140A（Tc）连续漏极电流承载能力，封装进一个经典的TO-263（DPak）封装中，这意味着什么？这意味着更小的空间占用，却换来了前所未有的功率处理密度，让您的设计在功率与体积的博弈中轻松胜出。

无论是面对工业电机驱动中严苛的启停瞬间，还是服务器电源里要求极高的能量转换效率，AOB262L都能游刃有余。其低至2.8毫欧的导通电阻（在10V驱动下），直接转化为更低的导通损耗和发热量，让系统运行更凉爽、更持久。在新能源领域，如太阳能逆变器或车载充电设备中，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了即使在极端环境下也能稳定工作，大大提升了终端产品的环境适应性和可靠性。选择它，就是为您的关键应用上了一道坚实的保险。

那么，在众多选择中，为何独独青睐AOB262L？答案在于它卓越的“性能价值比”。极低的栅极电荷（115nC @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要，能显著提升整体能效。同时，其优异的参数一致性为大规模生产提供了质量保障，减少了系统调试的复杂度。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能猛兽，我们推荐您联系官方授权的AOS总代理，以确保获得原装正品和全面的技术支持。让AOB262L成为您下一个明星产品的力量核心，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:AOB262L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9800 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB262L的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。