




AOB266L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOB266L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AOB266L这不仅仅是一颗MOSFET,更是您构建高性能、高稳定性电源与驱动方案的信心基石。它融合了AOS先进的半导体工艺与深厚的设计智慧,旨在以卓越的电气性能和坚固的物理特性,为您的产品注入澎湃动力与持久耐力。
想象一下,在严苛的工业自动化环境中,电机需要精准启停与高效调速;在数据中心不间断电源(UPS)系统里,每一分能量的转换都关乎核心业务的连续运行;又或者,在新能源领域的太阳能逆变器或车载充电器中,面对波动的输入与负载,稳定与高效是永恒的主题。这正是AOB266L大显身手的舞台。其高达60V的漏源电压和惊人的140A(Tc)连续漏极电流能力,让它能够从容应对大电流开关任务,无论是驱动重型电机,还是处理高功率DC-DC转换,都能游刃有余。极低的3.2毫欧导通电阻,意味着更小的导通损耗和发热,直接提升了系统整体效率,让您的设备运行更凉爽、更节能。
选择AOB266L,就是选择了一份值得信赖的承诺。它采用坚固的TO-263(DPak)封装,具备优异的散热性能,结合高达268W(Tc)的功率耗散能力,确保了在高温高负载下的长期稳定工作。宽广的-55°C至175°C结温范围,使其无惧严寒酷暑的环境挑战。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,有助于简化驱动电路设计,实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,提升频率响应。这一切优势的汇聚,最终都转化为您产品在市场上的核心竞争力:更高的可靠性、更长的使用寿命以及更优的总拥有成本。我们与值得信赖的AOS总代理紧密合作,确保您能便捷地获得这颗性能标杆级的产品与专业的技术支持,助您轻松跨越设计挑战,将创新构想快速转化为市场领先的现实。
- 型号:AOB266L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Ta),140A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):80 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),268W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB266L的官网价格:800:$1.26045,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























