AOD3N50_002

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越之作AOD3N50_002。这款高性能N沟道MOSFET，以其500V的高耐压和2.8A的连续电流能力，为您的高压开关应用注入澎湃动力与坚实保障。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。

想象一下，在那些需要稳定高效能量转换的场景中，AOD3N50_002都能大显身手。无论是紧凑型开关电源（SMPS）中的初级侧开关，还是LED照明驱动、家用电器辅助电源，甚至是工业控制中的功率模块，它都能轻松应对。其高达57W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-252（D-Pak）的经典封装，确保了在有限空间内也能实现出色的散热性能，让您的设备在-50°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，无惧严苛环境挑战。

为何众多工程师在面临高压、高效率的设计需求时，会毫不犹豫地选择AOD3N50_002？答案在于其卓越的性能平衡。它拥有仅3欧姆的低导通电阻（在1.5A，10V条件下），这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接帮助您节省能源成本。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值8nC @ 10V）和输入电容，显著降低了开关损耗，让开关频率可以更高，从而允许使用更小体积的磁性元件，助力您的产品设计更加小巧精致。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。如需获取正品保障与专业的技术支持，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，为您的项目保驾护航。

• 制造商产品型号：AOD3N50_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD3N50_002的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。