AOB292L

在追求极致效率与可靠性的电力电子领域，每一次选择都至关重要。今天，我们为您带来一款曾为无数关键应用提供澎湃动力的经典之选AOB292L。这颗由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）精心打造的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，即使在当前停产状态下，依然是特定高要求设计或库存替换方案中值得信赖的基石。它不仅仅是一个电子元件，更是您系统稳定、高效运行的坚实保障。

想象一下，在工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或是不间断电源（UPS）系统的核心位置，AOB292L正默默发挥着关键作用。其高达100V的漏源电压和惊人的105A连续漏极电流承载能力（Tc条件下），意味着它能够轻松应对严苛的功率开关环境。TO-263（DPak）的封装形式不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装特性也适应了现代自动化生产的需要。无论是处理突发的电流峰值，还是在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，它都展现出非凡的坚韧与适应性，确保您的终端产品在各种极端条件下依然表现如一。

那么，为何在众多选择中，AOB292L依然值得您的关注？答案在于其难以复制的价值组合。极低的导通电阻（仅4.1毫欧@10V）直接转化为更小的导通损耗和更高的系统整体效率，为您节省每一分能源成本。优化的栅极电荷特性有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，让您的设计在动态响应和能效之间取得完美平衡。对于寻求可靠库存解决方案或维护既有经典设计的工程师而言，通过值得信赖的AOS授权代理渠道获取原装正品，是确保项目延续性和产品可靠性的最明智选择。选择AOB292L，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，让您的设计建立在稳固而高效的基石之上。

• 型号:AOB292L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB292L的官网价格：1:$4.39000|800:$1.71728，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。