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AON7200_102

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7200_102参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AON7200_102这不仅仅是一颗MOSFET,更是您提升产品性能、实现设计突破的得力引擎。它融合了AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)在功率半导体领域的深厚积淀,以其卓越的电气特性和坚固的物理设计,为您的应用注入澎湃而稳定的动力。

想象一下,在紧凑的DC-DC转换器、高效的电机驱动模块或是要求严苛的负载开关电路中,您需要一颗既能承载大电流又具备超低导通损耗的开关器件。AON7200_102正是为此而生。其30V的漏源电压和高达40A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种中压、大电流场景。无论是提升电源模块的转换效率以延长设备续航,还是驱动电机实现更精准快速的控制,这颗芯片都能游刃有余,确保系统运行在最佳状态。其宽广的-55°C至155°C工作结温范围,更是赋予了产品无与伦比的环境适应性与可靠性,让您的设计无惧严寒酷暑的挑战。

选择AON7200_102,就是选择了一份卓越的性能承诺。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下,仅8毫欧的最大值,这意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快,开关损耗更低,特别适合高频开关应用,让您的电源设计在效率与频率上双双领先。采用先进的8-DFN-EP(3x3)封装,它不仅提供了优异的散热性能(最大功率耗散达62W @ Tc),还极大地节省了宝贵的PCB空间,助力实现更小巧、更集成的终端产品。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的设计和稳定的库存解决方案,依然在特定应用和升级替换市场中闪耀着价值。如需获取专业的选型支持与可靠的供货渠道,我们推荐您咨询官方授权的AOS代理,他们将为您提供最权威的技术与供应链服务。

总而言之,AON7200_102以其强悍的电流处理能力、顶尖的能效表现和坚固的可靠性,成为了工程师手中应对功率挑战的经典之选。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。立即深入了解它,让您的下一个设计脱颖而出!

  • 制造商产品型号:AON7200_102
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A/40A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15.8A(Ta),40A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):20nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),62W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • AON7200_102的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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