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AOB298L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOB298L参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的经典之作AOB298L。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石,以其卓越的性能参数,为您的设计注入澎湃动力与长久信心。

想象一下,在您的开关电源、电机驱动或DC-DC转换器中,需要一颗能够从容应对100V高压、承载高达58A峰值电流的开关核心。这正是AOB298L的舞台。它采用先进的MOSFET技术,在10V驱动电压下,导通电阻低至惊人的14.5毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统的整体效率。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机,还是服务器电源中要求极高稳定性的功率转换模块,AOB298L都能以其强大的电流处理能力和优异的开关特性,确保系统运行如丝般顺滑,响应迅捷无误。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C结温)和TO-263(DPak)封装带来的出色散热能力,更是让它无惧各种恶劣环境挑战,保障设备7x24小时稳定运行。

那么,在众多选择中,为何AOB298L值得您信赖?答案在于它精准的性能平衡与卓越的可靠性。它不仅在关键参数上表现亮眼,更在细节处彰显匠心。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统在高频应用中也能游刃有余。选择AOB298L,就是选择了一份经过市场验证的成熟方案,它能有效简化您的设计,降低系统复杂度,同时显著提升功率密度和能效比。当您需要获取这颗性能悍将或寻求专业的技术支持时,请务必通过官方授权的AOS代理进行采购,以确保获得原装正品和完整的售后服务,为您的项目成功加上双重保险。虽然其零件状态显示为停产,但在特定库存和替代方案咨询方面,专业的代理渠道仍能为您提供至关重要的价值。

总而言之,AOB298L代表了一种对性能与可靠性的执着追求。它可能不是最新型号,但其经典的设计和坚实的参数,使其在诸多应用领域依然是高性价比和高可靠性的卓越选择。让它成为您下一个电源或驱动设计的核心,共同开启高效、节能、稳定的新篇章。

  • 型号:AOB298L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-263(D2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),58A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):27 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1670 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • AOB298L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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