AOD200

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOD200这颗源自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师们应对中低压、大电流挑战的得力助手。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、确保系统稳定运行的坚实保障。

想象一下，在您的电源管理系统、电机驱动电路或是高效的DC-DC转换器中，需要一颗开关迅速、损耗极低的“心脏”。AOD200正是为此而生。其30V的漏源电压和高达36A（Tc）的连续漏极电流能力，让它轻松驾驭各类 demanding 应用。无论是消费电子产品的电池管理，还是工业设备中的功率分配，它都能提供澎湃而稳定的动力。其TO-252（D-Pak）封装兼顾了优异的散热性能与紧凑的板级空间占用，让您的设计在性能和体积之间找到完美平衡。

为何在众多选择中，AOD200值得您重点关注？答案藏在细节里。极低的导通电阻（仅7.8毫欧@20A，10V）意味着更少的导通损耗和发热，直接提升了整机效率并简化了散热设计。快速的开关特性（栅极电荷Qg仅16nC）确保了高频应用下的响应速度，减少开关损耗。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，从严寒到酷暑都能稳定工作。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的AOS一级代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。选择AOD200，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。

• 型号:AOD200
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/36A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD200的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。