AOB470L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为整个系统脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOB470L。这款N沟道MOSFET以其卓越的性能参数和坚固的封装设计，正重新定义着中高功率应用的性能标准，为您的设计注入澎湃动力与非凡的稳定性。

想象一下，在您的电源转换模块中，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC变换器，都需要一颗能够高效、低损耗地处理大电流的开关器件。AOB470L正是为此而生。它高达75V的漏源电压和惊人的100A（Tc）连续漏极电流能力，意味着它能轻松应对严苛的负载波动和瞬间峰值电流，确保系统在各种工况下都坚如磐石。其极低的10.2毫欧导通电阻（@30A, 10V），直接将导通损耗降至新低，这不仅意味着更高的整体能效，更代表着更低的温升和更长的系统寿命，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现赢得先机。

选择AOB470L，就是选择了一份从容与安心。它采用经典的TO-263（DPak）封装，提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合高功率密度设计。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在极端环境下依然稳定可靠。无论是面对复杂的工业环境，还是要求7x24小时不间断运行的数据中心，它都能出色完成任务。当您需要为项目寻找这样一颗性能与可靠性兼备的“心脏”时，请务必联系官方授权的AOS代理商，他们将为您提供正品保障、专业的技术支持以及灵活的供应方案，确保您的创新之路畅通无阻。让AOB470L成为您下一款明星产品的强大引擎，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOB470L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5640 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），268W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB470L的官网价格：800:$0.96250，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。