AOD3N50

在追求更高能效与可靠性的电力电子世界中，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款集高性能与高性价比于一身的明星产品AOD3N50。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统效率、简化设计并确保长期稳定运行的得力伙伴。凭借其高达500V的漏源电压和2.8A的连续漏极电流能力，它为您提供了充足的功率处理余量，让您的设计在面对复杂工况时依然从容不迫。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制或是高效照明镇流器中，AOD3N50正以其卓越的性能默默贡献力量。其低至3欧姆的导通电阻（Rds(On)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统整体效率，这对于追求绿色节能的现代应用至关重要。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用，帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

为什么众多工程师在面临选型时，会毫不犹豫地选择AOD3N50？答案在于它实现了性能与可靠性的完美平衡。它采用坚固的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更具备出色的散热能力，最大功率耗散高达57W，确保在-50°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着您的产品能够适应从严寒到酷热的苛刻环境，寿命和可靠性得到极大保障。选择它，就是选择了一份安心与高效。如果您正在寻找可靠的供货渠道，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您提供专业的技术支持与便捷的供应链服务，让您的创新之旅畅通无阻。

• 型号:AOD3N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:331 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD3N50的官网价格：1:$1.21000|2500:$0.30934，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。