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AOB66920L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB66920L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的高效能功率器件AOB66920L。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是您实现设计突破、提升产品竞争力的秘密武器。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理特性,AOB66920L正蓄势待发,准备在您的下一个项目中大放异彩。
想象一下,在严苛的工业自动化环境中,电机驱动需要瞬间爆发出巨大扭矩;在数据中心不间断的服务器电源里,每一瓦的损耗都意味着高昂的运营成本;又或者,在新能源车的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,紧凑的空间与高效的热管理是设计的核心挑战。AOB66920L正是为应对这些高要求场景而生。其100V的耐压和高达80A(Tc)的连续电流能力,让它轻松驾驭大功率开关任务,无论是作为同步整流管还是主开关管,都能提供稳定、强劲的动力输出。而低至8毫欧的导通电阻,直接将导通损耗降至新低,让系统整体效率跃升一个台阶,这意味着更长的续航、更低的发热和更安静的工作状态。
选择AOB66920L,就是选择了一份从容与自信。其采用的先进AlphaSGT技术,在开关速度与导通损耗之间取得了完美平衡,50nC的低栅极电荷让驱动设计更简单,开关更迅捷,有效减少了开关损耗。TO-263(D2Pak)的封装形式提供了优异的散热路径,结合高达100W(Tc)的功率耗散能力,确保了芯片在满载甚至过载情况下的长期稳定运行,大幅提升了终端产品的耐用性和市场口碑。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时,与值得信赖的AOS一级代理合作,获取正品AOB66920L及全面的技术支持,无疑是您最明智的决策。这颗芯片承载的不仅是电流,更是助力您产品领先市场的无限潜能。
- 型号:AOB66920L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A(Ta),80A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2500 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):8.3W(Ta),100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB66920L的官网价格:1:$3.60000|800:$1.25919,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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