AOB7S65L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB7S65L，这颗来自AOS aMOS家族的N沟道功率MOSFET，正是您应对高压、高功率挑战的得力伙伴。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。凭借其高达650V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，它为您的高压应用提供了坚实的保障，让您在复杂的工况下也能游刃有余。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、工业变频器或是高功率LED照明系统中，AOB7S65L正以其卓越的性能默默贡献力量。它那低至650毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，直接为您节省宝贵的能源成本。TO-263（DPak）的封装形式，不仅提供了出色的散热性能，确保在高达104W的功率耗散下稳定工作，其表面贴装的设计也让您的生产流程更加高效便捷。无论是面对-55°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定如初，确保您的设备在各种极端环境下可靠运行。

选择AOB7S65L，就是选择了一份安心与远见。它集成了AOS先进的aMOS技术，在保证高耐压的同时，优化了栅极电荷和输入电容等动态参数，这意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，让您的系统响应更迅捷，整体性能更上一层楼。当您需要为项目寻找可靠且高性能的功率解决方案时，与值得信赖的AOS代理商合作，您将轻松获得这颗芯片以及全面的技术支持。让AOB7S65L成为您下一个明星产品的动力心脏，与我们一同开启高效、可靠、节能的电力电子新篇章！

• 型号:AOB7S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB7S65L的官网价格：1:$3.49000|800:$1.38908，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。