AO8801

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗出色的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AO8801来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的一款经典双P沟道MOSFET阵列。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能和经过市场长期验证的可靠性，使其在特定应用和库存备货领域依然闪耀着不可替代的价值光芒，是您构建高效、紧凑电源管理方案的智慧之选。

想象一下，在那些空间极其宝贵的便携式设备、消费电子或分布式电源模块中，AO8801能够大显身手。它集成了两个独立的P沟道MOSFET于一个微小的8-TSSOP封装内，这不仅仅是节省了板上空间，更是简化了您的布局布线，让整体设计更加优雅简洁。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是电池保护电路，其20V的漏源电压和4.7A的连续漏极电流能力，都足以轻松应对大多数低电压、中电流场景的严苛要求。其低至42毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和运行稳定性，让您的产品在竞争中脱颖而出。

为什么在众多选择中，AO8801依然值得您的关注？答案在于其经过时间淬炼的品质与精准平衡的性能参数。它并非一味追求极限参数，而是在可靠性、成本与性能之间找到了最佳平衡点。标准化的FET功能确保了设计的易用性和一致性，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了产品强大的环境适应能力。对于正在维护现有产品线、寻求可靠替代方案或进行特定成本优化设计的工程师而言，这颗芯片代表了一种稳健、可信赖的解决方案。当您需要获取这颗经典器件或咨询AOS全线产品时，可以随时联系我们的AOS代理，他们将为您提供专业的技术支持和供应链服务。选择AO8801，就是选择了一份历经考验的卓越与安心。

• 型号:AO8801
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• AO8801的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。