




AOC2401
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:4-AlphaDFN(1.57x1.57)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 3A 4ALPHADFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOC2401参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义您电源管理方案的明星产品AOC2401。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)先进半导体技术的结晶,专为那些对空间、效率和可靠性有着严苛要求的应用而生。想象一下,将强大的功率处理能力、卓越的导通性能以及宽广的工作温度范围,全部集成在一个仅有1.57x1.57毫米的微型封装内,这无疑为您的设计打开了通往更高性能、更小体积的全新大门。
无论是需要精密电源管理的便携式消费电子、追求长效续航的物联网设备,还是空间极为有限的穿戴式产品,AOC2401都能游刃有余地扮演其“高效电能守门员”的角色。其30V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力,确保了在多种电压和负载条件下的稳定输出。更令人印象深刻的是,它在10V驱动电压下,导通电阻低至惊人的41毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接转化为更长的电池寿命和更凉爽的设备运行体验。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围,让它无惧严寒酷暑,在各种极端环境下依然稳定可靠,是工业控制、汽车电子及户外设备中值得信赖的伙伴。
那么,在众多选择中,为何AOC2401是您的不二之选?答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统响应更加敏捷,整体能效再上一个台阶。其采用先进的4-AlphaDFN表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,还优化了散热路径,让功率耗散更加高效。虽然该型号目前已处于停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的设计验证,使其成为特定存量项目或对经典高可靠性方案有需求的理想选择。要获取这颗经典芯片的库存或寻找其性能相当的替代方案,我们推荐您咨询专业的AOS代理商,他们能为您提供最权威的技术支持和供应链服务。选择AOC2401,就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案,它将帮助您轻松攻克设计难题,高效实现产品价值最大化。
- 型号:AOC2401
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:4-AlphaDFN(1.57x1.57)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3A 4ALPHADFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1327 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):550mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-AlphaDFN(1.57x1.57)
- 封装/外壳:4-SMD,无引线
- AOC2401的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























