




AOT11N70
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 700V 11A TO220
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AOT11N70参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天,我们为您带来一款集高性能与高可靠性于一身的明星产品AOT11N70。它不仅仅是一个参数表上的数字,更是您提升产品竞争力、简化设计挑战、赢得市场先机的得力伙伴。想象一下,当您的电源、电机驱动或照明系统搭载了这颗700V耐压、11A电流能力的N沟道MOSFET,所带来的不仅是效率的显著跃升,更是系统长期稳定运行的坚实保障。
无论是面对严苛的工业环境,还是追求紧凑高效的消费类应用,AOT11N70都能大显身手。在开关电源(SMPS)中,它能轻松应对PFC、主开关等关键位置,其优异的开关特性有助于提升整体转换效率,让您的产品在能效标准上脱颖而出。对于电机驱动和逆变器应用,其强大的电流处理能力和低导通电阻意味着更低的损耗和更小的发热,让电机运行更平稳、更安静、寿命更长。在LED照明驱动领域,它同样是实现高效、可靠恒流输出的理想选择,确保每一盏灯都明亮持久。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)和TO-220的经典封装,赋予了它卓越的环境适应性和便捷的安装维护性,从温带车间到酷热户外,都能从容应对。
为什么众多领先的设计师和工程师都信赖并选择AOT11N70?答案在于它卓越的价值平衡。高达700V的漏源电压(Vdss)提供了充足的安全裕度,有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰,让您的设计更安心。在10V驱动下仅870毫欧的最大导通电阻,配合45nC的低栅极电荷,共同实现了极低的导通损耗与开关损耗,这意味着更高的系统效率和更小的散热需求,直接帮助您降低系统成本和体积。选择AOT11N70,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与AOS先进的MOSFET技术。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持,我们的官方AOS代理网络将随时为您提供全方位的服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。立即将AOT11N70纳入您的物料清单,开启高效、可靠的新篇章!
- 型号:AOT11N70
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 11A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):870 毫欧 @ 5.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):45 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):271W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- AOT11N70的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























