




AOC2804B
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:4-DFN(1.5x1.5)
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 4DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOC2804B参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,一颗卓越的芯片往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AOC2804B来自AOS AlphaMOS家族的明星产品,它不仅仅是一个双N沟道MOSFET阵列,更是您开启高效、可靠电源管理解决方案的智慧钥匙。凭借其卓越的性能与创新的封装技术,它正重新定义小型化设备中功率转换的标杆,让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得先机。
想象一下,在您手中精巧的智能穿戴设备、便携式医疗仪器或超薄型消费电子产品中,空间是如此珍贵。AOC2804B正是为此而生。它采用先进的4-XDFN超紧凑表面贴装封装,在几乎不占用电路板空间的前提下,集成了两个高性能的N沟道MOSFET。无论是用于负载开关、电源路径管理,还是作为电机驱动、DC-DC转换器中的关键开关元件,它都能游刃有余。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围,确保了从严寒到酷热的各种极端环境下,您的设备都能稳定运行,持久可靠。这意味着,从消费电子到工业控制,从物联网节点到汽车辅助系统,AOC2804B都能成为您值得信赖的功率核心。
那么,为何众多领先企业都选择将AOC2804B纳入其核心物料清单?答案在于它带来的综合价值飞跃。首先,极低的栅极阈值电压(Vgs(th)最大值仅1.3V)和优化的栅极电荷(Qg),使其能够轻松被低电压逻辑电路直接驱动,显著简化了您的驱动电路设计,降低了整体系统复杂性和成本。其次,出色的热性能和1.3W的功率处理能力,意味着在紧凑空间内也能实现高效的散热与功率传输,提升了系统能效与可靠性。选择AOC2804B,就是选择了一种更智能、更精简的设计哲学。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购,这不仅是品质的保证,更是项目顺利推进的坚实后盾。立即采用AOC2804B,让它为您的下一代产品注入高效、可靠的灵魂,共同引领技术创新的浪潮。
- 型号:AOC2804B
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:4-DFN(1.5x1.5)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 4DFN
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N 沟道(双)共漏
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
- 功率 - 最大值:1.3W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:4-XDFN
- 供应商器件封装:4-DFN(1.5x1.5)
- AOC2804B的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























