AOT418L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的核心器件往往能成为您项目成功的关键。今天，我们向您隆重介绍AOT418L，这颗源自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）卓越SDMOS技术平台的N沟道功率MOSFET，正以其卓越的性能，准备为您的设计注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、增强产品稳定性的得力伙伴。

想象一下，在那些对功率密度和热管理要求严苛的应用中，无论是工业电源转换、电机驱动控制，还是高可靠性要求的通信设备电源，AOT418L都能游刃有余。它高达100V的漏源电压和惊人的105A（Tc）连续漏极电流能力，意味着它能轻松应对高功率场景下的严酷考验。其低至10毫欧的导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，这不仅让您的系统运行更“冷静”，更能显著提升整体能源利用效率，将每一分电力都用在刀刃上。

选择AOT418L，就是选择了一份经得起验证的可靠保障。它采用经典的TO-220封装，坚固耐用，便于安装和散热处理。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然能稳定工作，大大增强了您产品的环境适应性和使用寿命。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率解决方案时，这颗集高效、强健、可靠于一身的MOSFET无疑是您的明智之选。如需获取官方正品与全面技术支持，请务必联系AOS总代理，确保您的供应链源头清晰可靠。

• 型号:AOT418L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT418L的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。