




AOD2N100
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOD2N100参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AOD2N100来自全球知名半导体制造商AOS的卓越之作。这不仅仅是一颗MOSFET,它是专为应对高压、高要求环境而生的能量控制大师,以其高达1000V的漏源电压和稳健的2A连续电流能力,为您的高压开关应用筑起一道坚不可摧的性能长城。想象一下,在您的电源设计核心,它能以极低的导通电阻(9欧姆@1A,10V)和快速的开关特性,将能量损耗降至最低,让每一份电能都得到高效、纯净的转化,直接为您带来更低的运营成本和更出色的系统能效。
无论是工业电源、UPS不间断电源、电机驱动,还是LED照明驱动和各类离线式开关电源,AOD2N100都能游刃有余,展现其全能价值。它那宽广的工作温度范围(-50°C至150°C)和高达83W的功率耗散能力,意味着它能在严寒或酷热、在持续高负荷的严苛条件下稳定运行,确保您的终端产品在任何环境中都值得信赖。其采用经典的TO-252(D-Pak)表面贴装封装,不仅提供了优异的散热性能,也简化了您的生产流程,让高可靠性设计与高效率制造得以完美结合。
选择AOD2N100,就是选择了一份由尖端技术与卓越品质共同担保的安心。它继承了AOS在功率半导体领域深厚的创新基因,每一处参数优化从低至15nC的栅极电荷到高达±30V的栅源电压耐受都旨在为您提供更简易的驱动方案和更强的抗干扰能力,让系统设计变得更轻松、更稳健。当您寻求一个能提升产品竞争力、保障长期稳定性的高压开关解决方案时,AOD2N100无疑是您的不二之选。我们强烈推荐您通过官方授权的AOS总代理获取此产品,以确保获得原厂正品、完整的技术支持以及可靠的供应链保障,让您的创新之旅从一颗值得信赖的芯片开始,赢在起点,胜在未来。
- 型号:AOD2N100
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9 欧姆 @ 1A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):580 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):83W(Tc)
- 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- AOD2N100的官网价格:2500:$0.64834,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























