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AON6360P

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6360P参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍一款在紧凑封装内蕴藏澎湃动力的高性能N沟道MOSFETAON6360P。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性与坚固的物理设计,AON6360P正成为众多工程师在面临严苛应用挑战时的首选解决方案,为您的创新构想注入源源不断的可靠动力。

想象一下,在空间受限却对电流处理能力要求极高的场景中,AON6360P的价值将得到淋漓尽致的展现。无论是需要高效同步整流的服务器电源和通信设备,还是对瞬态响应和效率极为敏感的电机驱动与DC-DC转换模块,它都能游刃有余。在电动工具、无人机电调等高功率密度应用中,其高达85A(Tc)的连续电流承载能力和低至3毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和发热,直接转化为更长的运行时间与更高的系统可靠性。即便在-55°C至150°C的宽广结温范围内,它依然能稳定工作,确保您的产品在极端环境下也能表现出色。

那么,在众多同类产品中,为何AON6360P能脱颖而出,成为您的明智之选?答案在于它在性能、效率与可靠性之间取得的精妙平衡。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,让开关过程更为迅速、干净,显著降低了开关损耗,这对于高频开关应用至关重要。采用先进的8-DFN-EP封装,不仅提供了优异的散热性能,支持高达42W(Tc)的功率耗散,还极大地节省了宝贵的PCB空间,让您的设计更加紧凑。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率器件时,选择源自AOS(Alpha & Omega Semiconductor)先进AlphaMOS产品线的AON6360P,并通过正规的AOS授权代理渠道获取,无疑是保障供应链稳定与产品品质的最佳途径。让这颗高效能MOSFET成为您下一个成功设计的坚实基石。

  • 制造商产品型号:AON6360P
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):36A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1590pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(5x6)
  • AON6360P的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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