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AOD3N80

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:
  • 技术参数:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOD3N80参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOD3N80。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您构建高效、稳定、紧凑型电源解决方案的坚实基石。凭借其卓越的800V高耐压能力和优化的动态特性,AOD3N80旨在帮助您的设计突破瓶颈,在激烈的市场竞争中脱颖而出,实现性能与成本的最佳平衡。

想象一下,在那些对效率和空间要求极为严苛的应用场景中,AOD3N80正大放异彩。无论是开关电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)和主开关电路,还是LED照明驱动、工业电源、家用电器辅助电源,甚至是充电器和适配器,这颗芯片都能游刃有余。它高达800V的漏源电压(Vdss)为您提供了充足的电压裕度,轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰,确保系统长期稳定运行。其2.8A的连续漏极电流和低至4.8欧姆的导通电阻,意味着更低的导通损耗和发热,让您的设备运行更凉爽,效率更高,寿命更长。

为什么众多工程师在面临高压开关选型时,会毫不犹豫地选择AOD3N80?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其采用成熟的TO-252(D-Pak)表面贴装封装,不仅提供了出色的散热能力(最大功耗83W),还极大地节省了PCB空间,非常适合高密度设计。其次,优化的栅极电荷(Qg仅10nC)和输入电容(Ciss 510pF)参数,显著降低了开关损耗和驱动需求,让您的驱动电路设计更简单,系统开关频率可以做得更高,从而使用更小的磁性元件,进一步降低成本。从-50°C到150°C的宽广工作结温范围,赋予了它应对各种恶劣环境挑战的强悍能力。选择AOD3N80,就是选择了一份来自AOS品质的安心保障。如需获取正品货源与专业技术支持,请务必通过官方AOS授权代理进行采购。

总而言之,AOD3N80以其高耐压、低损耗、强散热和易使用的特点,完美诠释了现代功率MOSFET的发展方向。它不仅是参数表上的一串优秀数字,更是您将创意转化为可靠产品、提升市场竞争力的得力助手。立即将AOD3N80纳入您的下一个设计,亲身体验它所带来的性能飞跃与设计自由!

  • 型号:AOD3N80
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • AOD3N80的官网价格:1:$2.34000|2500:$0.67159,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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