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AOD4102L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO252
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOD4102L参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次选择都至关重要。今天,我们为您带来一款在中小功率开关应用中久经考验的经典之选AOD4102L。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的性能和稳定的表现,持续为众多应用注入强劲动力。虽然它已进入停产状态,但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上可观的库存,使其依然是您构建高性价比、高可靠性系统的明智之选,尤其适合对成本控制严格且追求稳定供应的项目。

想象一下,在您的电源管理模块中,无论是DC-DC转换器、电机驱动控制,还是负载开关与电池保护电路,都需要一个快速响应、损耗极低的“电子开关”。AOD4102L正是扮演这一角色的专家。其30V的漏源电压和高达19A(Tc)的连续漏极电流能力,轻松应对常见的12V或24V系统环境。当您需要高效控制电机启停、精准管理电源路径时,它极低的导通电阻(仅37毫欧@12A, 10V)意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率,直接帮助您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)更是赋予了产品应对严苛环境的坚韧品质。

那么,在众多器件中,为何众多工程师依然信赖AOD4102L?答案在于其无可替代的成熟价值。首先,TO-252(D-Pak)封装工艺成熟,散热性能优良,便于PCB布局和生产焊接,极大降低了制造难度和风险。其次,其驱动特性平衡且优秀,4.5V至10V的驱动电压范围兼容多种逻辑电平,8.1nC的低栅极电荷确保了快速的开关速度,从而提升系统整体频率响应。这意味着您可以用更简单的驱动电路,实现高效、快速的功率切换。对于正在维护现有产品线或开发生命周期较长的项目而言,选择一款经过大量市场验证的器件,就是选择了风险最低、开发最顺畅的路径。如果您正在寻找可靠的供应渠道,可以咨询官方授权的AOS代理商,获取关于库存和替代方案的专业建议。

总而言之,AOD4102L不仅仅是一个半导体元件,它是一份值得信赖的性能承诺。它代表着以合理的成本,获得经过时间淬炼的稳定与高效。在您的下一个设计中,选择AOD4102L,就是选择了一个坚实可靠的合作伙伴,助您将创意无缝转化为稳定卓越的产品,赢得市场的长久认可。

  • 型号:AOD4102L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta),19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):37 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):432 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),21W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • AOD4102L的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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