AOD3N50_003

在追求高效与可靠性的电力电子设计领域，一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AOD3N50_003。这款N沟道MOSFET以其500V的高耐压和2.8A的连续电流能力，为您构筑起坚固的电力防线，让每一次开关都精准而有力。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统效率、优化产品性能的得力助手。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或适配器这些充满挑战的应用场景中，AOD3N50_003都能大显身手。其高达57W的功率耗散能力，结合TO-252（D-Pak）表面贴装封装带来的优异散热性能，确保设备即使在-50°C至150°C的严苛温度范围内也能稳定运行，有效延长产品寿命。无论是应对工业环境的复杂干扰，还是满足消费电子对小型化的苛刻要求，它都能轻松胜任，让您的设计游刃有余。

选择AOD3N50_003，就是选择了一份安心与高效。它采用成熟的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至3欧姆，栅极电荷仅8nC，这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接助力您的系统实现更高的能源转换效率。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。为确保您能获得正品保障与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的AOS总代理进行咨询与采购，为您的项目成功增添一份可靠的筹码。

• 制造商产品型号：AOD3N50_003
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：331pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD3N50_003的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。