




AOD4189
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET P-CH 40V 40A TO252
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOD4189参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍来自AOS的卓越之作AOD4189。这不仅仅是一颗MOSFET,它是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的制胜利器。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理封装,AOD4189正重新定义着中高功率P沟道解决方案的标准,为您的设计注入澎湃而稳定的动力。
想象一下,在您的电机驱动系统中,它能够以极低的导通损耗,轻松驾驭高达40A的连续电流,确保电机启动强劲、运行平稳;在您的电源管理模块中,其40V的耐压能力和优异的开关特性,让DC-DC转换或负载开关的效率大幅提升,热量显著降低,系统寿命得以延长。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的伺服驱动,还是消费类电子产品里对空间和散热都极为苛刻的电池保护与电源路径管理,AOD4189都能游刃有余,化挑战为机遇。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是让它能从容应对各种严苛环境,从炎热的车间到寒冷的户外,性能始终如一。
那么,在众多选择中,为何AOD4189能脱颖而出,成为您的明智之选?答案在于它无与伦比的综合价值。它实现了低至22毫欧的导通电阻与高达40A电流能力的完美平衡,这意味着更低的功率损耗和更高的能源利用率,直接为您节省运营成本。其优化的栅极电荷设计,确保了快速干净的开关动作,不仅能减少开关损耗,还能简化您的驱动电路设计,让整个系统运行更高效、更安静。采用成熟的TO-252(D-Pak)封装,它不仅提供了出色的散热性能,其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产工艺,助力您快速实现规模化、高质量的生产。选择AOD4189,就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的可靠保障。若您需要专业的选型支持与稳定的供货渠道,我们遍布全球的AOS代理网络随时准备为您提供贴心服务。
总而言之,AOD4189是AOS匠心技术的结晶,它集高性能、高可靠性和高适用性于一身。它不仅仅是一个元器件,更是您提升产品竞争力、加速项目落地、赢得客户信赖的战略伙伴。立即将AOD4189纳入您的设计蓝图,亲身感受它如何以卓越性能,驱动您的创意走向更辉煌的成功。
- 型号:AOD4189
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):41 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1870 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),62.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- AOD4189的官网价格:1:$1.00000|2500:$0.24991,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























