AOTF9N50

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOTF9N50。它不仅仅是一个N沟道功率MOSFET，更是您构建高效、稳定、耐用电源系统的坚实基石。凭借其卓越的500V高耐压与9A的强大电流处理能力，它能轻松应对严苛的工业环境，将能量损耗降至最低，让您的设备在性能与能效的赛道上遥遥领先。

想象一下，无论是您正在设计的服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和高效照明解决方案，AOTF9N50都能在其中扮演至关重要的“能量开关”角色。其高达38.5W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至150°C工作温度范围，意味着它能在酷热或严寒的极端条件下稳定运行，确保您的终端产品全年无休、使命必达。这颗芯片的诞生，就是为了让复杂的功率转换变得简单、可靠，让您的设计从图纸变为现实的过程更加顺畅。

为什么众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地选择AOTF9N50？答案在于它无与伦比的综合价值。它采用经典的TO-220-3F封装，不仅便于安装和散热，更经过了市场的长期验证。其低至850毫欧的导通电阻（Rds(On)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性让开关速度更快，开关损耗更小，特别适合高频开关应用。选择它，就是选择了一份经过AOS先进MOSFET技术淬炼的安心与卓越。如果您正在寻找可靠的供应伙伴，遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您提供专业的技术支持与便捷的供货服务，助您项目成功一臂之力。

• 型号:AOTF9N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1042 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF9N50的官网价格：1000:$0.68222，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。