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AOD9N50

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 500V 9A TO252
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOD9N50参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义中高功率开关应用性能标杆的明星产品AOD9N50。它不仅仅是一个MOSFET,更是您通往更高效率、更稳定运行和更强竞争力的通行证。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理设计,AOD9N50旨在将复杂的功率管理挑战,转化为简洁而高效的解决方案,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在您的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器或是不间断电源(UPS)系统中,需要一颗能够从容应对500V高压、流畅处理9A持续电流的可靠开关。这正是AOD9N50大展身手的舞台。其N沟道设计和高达178W的功率耗散能力,确保了在严苛的工业环境或高密度消费类电源中,都能提供稳定如一的表现。无论是面对空调压缩机瞬间启动的冲击,还是处理LED驱动电源中需要精密控制的电流,AOD9N50都能以其低至860毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷,最大限度地降低导通损耗和开关损耗,直接将电能更高效地传递给负载,而非浪费在发热上。这意味着更低的系统温升、更小的散热器需求,以及最终更紧凑、更节能的产品设计。

为什么众多领先的设计师在面临关键选型时,会毫不犹豫地选择AOD9N50?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其宽广的工作温度范围(-50°C至150°C)提供了无与伦比的环境适应性,从酷寒的户外设备到高温运行的服务器电源,都能游刃有余。其次,TO-252(D-Pak)的表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更便于自动化生产,大幅提升您的制造效率和一致性。更重要的是,选择AOD9N50,意味着您选择了由业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor)提供的品质与技术创新背书。为了确保您能获得正品保障和及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方指定的AOS授权代理进行采购。这不仅是获得这颗高性能芯片的正确途径,更是为您的项目加上了一道可靠的安全锁。让AOD9N50成为您下一个成功产品的强大心脏,开启能效与可靠性的新篇章。

  • 型号:AOD9N50
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):860 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1160 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):178W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • AOD9N50的官网价格:1:$1.90000|2500:$0.52552,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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