AOTF7T60P

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们向您隆重介绍一款在高压开关应用中表现卓越的功率器件AOTF7T60P。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）深厚技术底蕴的结晶，专为应对严苛工况而生，旨在为您的设计注入澎湃动力与坚如磐石的稳定性。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或工业照明镇流器等高压、高频的应用场景中，系统对开关速度、导通损耗和热管理的要求近乎苛刻。AOTF7T60P正是为此类挑战量身打造。其600V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流能力，构成了应对高压冲击的坚固防线。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为1.1欧姆，这意味着更低的传导损耗，能将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量，直接助力您的产品提升能效等级，降低运行成本。

选择AOTF7T60P，就是选择了一份从容与安心。其TO-220-3F封装不仅提供了优异的通孔安装便利性和强大的散热能力，支持高达38W的功率耗散，更能确保器件在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、干净，有效减少开关损耗，并简化您的驱动电路设计。无论您的目标是打造更小巧、更凉爽还是更耐用的终端产品，这颗芯片都能成为您可靠的基石。我们作为值得信赖的AOS一级代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供专业的技术支持与供应链服务，确保您的创新想法从蓝图到量产一路畅通。

• 型号:AOTF7T60P
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF7T60P的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。