AOI1R4A70

在追求更高能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越之作AOI1R4A70。这款N沟道MOSFET以其高达700V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，为您的高压应用筑起坚实的性能堡垒。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，AOI1R4A70凭借其优异的700V耐压和低至1.4欧姆的导通电阻，能够显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更持久。在照明领域，无论是LED驱动还是HID镇流器，它都能确保高效稳定的功率转换，点亮更明亮、更节能的未来。对于电机驱动、工业控制乃至消费类电子中的高压开关应用，这颗芯片都能游刃有余，将复杂的功率管理化繁为简，赋予您的产品卓越的稳定性和能效表现。

选择AOI1R4A70，就是选择了一份放心的保障。它隶属于AOS备受赞誉的aMOS产品家族，传承了先进的MOSFET技术基因。其极低的栅极电荷（仅8nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应迅捷如电。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-251A封装，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大大提升了产品的环境适应性和使用寿命。当您需要可靠、高性能的高压开关解决方案时，AOI1R4A70无疑是您最明智的选择。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的AOS一级代理进行采购，为您的项目成功再添一层可靠砝码。

• 型号:AOI1R4A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI1R4A70的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。