




AOT22N50L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 500V 22A TO220
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AOT22N50L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AOT22N50L来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的卓越N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品性能、实现设计突破的得力引擎。凭借高达500V的漏源电压和22A的连续漏极电流承载能力,这颗芯片天生为应对高压、大电流的严苛挑战而生,其卓越的电气特性将为您带来前所未有的效率与稳定性体验。
想象一下,在您的高性能开关电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)系统乃至新能源逆变器中,AOT22N50L都能扮演着至关重要的角色。它能在高频开关状态下保持极低的导通损耗(典型导通电阻仅260毫欧),这意味着更少的热量产生和更高的能量转换效率,直接帮助您的终端设备运行得更凉爽、更持久、更节能。无论是面对复杂的工业环境还是要求苛刻的消费级应用,它都能提供坚实的性能保障。
那么,在众多同类产品中,为何要选择AOT22N50L?答案在于其无与伦比的综合价值。它采用了成熟的TO-220封装,不仅散热性能优异,安装也极为便捷。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在极端环境下依然稳定可靠。更低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统响应更迅捷,整体能效再上一个台阶。选择它,就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与高性能承诺。如需获取官方正品与全面技术支持,敬请联络AOS总代理。
归根结底,AOT22N50L的价值远超出其参数本身。它代表了一种设计哲学:在严苛的规格下追求极致的可靠性与效率,将复杂的电力控制变得简单而高效。它不仅仅降低了您的系统损耗,更提升了产品的市场竞争力与用户口碑。当您寻求一个能够承载高功率、保障系统长期稳定运行的核心开关解决方案时,AOT22N50L无疑是您最明智、最值得信赖的选择。让它成为您下一个成功产品的强大心脏,共同开启高效、可靠的电能新纪元。
- 型号:AOT22N50L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):260 毫欧 @ 11A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):83 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3710 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):417W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- AOT22N50L的官网价格:1000:$1.36888,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























