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AOI4286

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-251A
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOI4286参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够为您的电源管理和电机驱动应用注入澎湃动力的明星产品AOI4286。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是AOS先进半导体技术的结晶,旨在以卓越的性能和坚固的耐用性,帮助您的设计突破瓶颈,在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在您的开关电源、DC-DC转换器或电机控制电路中,需要一颗能够承受100V高压、高效切换电流的可靠开关。这正是AOI4286大显身手的舞台。其高达14A(Tc)的连续漏极电流承载能力,配合低至68毫欧的优异导通电阻,意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。无论是驱动小型电机、管理电池充放电,还是作为高效的负载开关,它都能确保能量以最“顺畅”的方式传递,有效减少热量产生,让您的系统运行得更凉爽、更持久。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是赋予了产品无与伦比的环境适应性,从容应对严寒或酷热的挑战。

为什么众多工程师在面临选型时,会毫不犹豫地选择AOI4286?答案在于它精准击中了高性价比与高性能的平衡点。4.5V的低驱动电压门槛,使其能够轻松兼容多种控制逻辑,简化驱动电路设计。极低的栅极电荷和输入电容,确保了超快的开关速度,显著降低开关损耗,特别适合高频应用场景。TO-251A(IPAK)的经典封装形式,则在提供出色散热能力(最大功率耗散达30W@Tc)的同时,兼顾了PCB板的空间利用与生产便利性。选择AOI4286,就是选择了一份经过市场验证的可靠保障,它能够有效提升您终端产品的能效等级与可靠性,缩短开发周期。如需获取正品保障与专业的技术支持,请务必通过官方AOS授权代理进行采购。

总而言之,AOI4286以其稳健的参数、出色的能效表现和广泛的适用性,成为工程师手中应对中压、中电流开关任务的得力武器。它代表的不仅是一个元器件,更是一种致力于提升产品价值的设计哲学。让AOI4286成为您下一个成功设计的强大基石,共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。

  • 型号:AOI4286
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-251A
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.9V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):390 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-251A
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK
  • AOI4286的官网价格:1:$1.14000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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