AOT10N60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AOT10N60。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其卓越的600V耐压与10A的强劲电流处理能力，这颗N沟道MOSFET天生就是为高效能量转换而生的强者，旨在帮助您的设计在性能、效率与成本之间找到完美的黄金平衡点。

想象一下，无论是您正在精心打造的服务器电源、工业电机驱动，还是不断升级的消费类充电适配器与照明系统，AOT10N60都能游刃有余地融入其中，成为能量流的核心指挥官。在TO-220经典封装的坚实身躯下，它拥有低至750毫欧的优异导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接为您带来更高的系统整体效率。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关动作，让您的开关电源工作得更安静、更稳定，轻松应对各种严苛的工作环境，从-55°C到150°C的宽广结温范围就是其可靠性的最好证明。

选择AOT10N60，就是选择了一份安心与超越。它代表了AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀和对品质的执着追求。当您需要稳定可靠的供货与专业的技术支持时，我们的AOS中国代理网络随时准备为您服务，确保您能心无旁骛地专注于创新与设计。这颗芯片的价值，不仅在于其出色的电气参数，更在于它能为您的终端产品带来的市场优势更长的使用寿命、更佳的能效表现以及最终用户更高的满意度。现在就让它成为您下一个成功项目的基石吧！

• 型号:AOT10N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT10N60的官网价格：1:$2.67000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。