AOI4N60

在追求高效与可靠的电源管理解决方案的道路上，工程师们始终在寻找那颗能够平衡性能、成本与稳定性的核心器件。今天，我们向您隆重介绍这样一颗明星产品AOI4N60。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建下一代高效能电源系统的坚实基石。凭借其卓越的600V耐压能力和4A的连续漏极电流，这颗芯片天生就是为了应对严苛的工业环境而生，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，AOI4N60能够轻松胜任主功率开关的角色。其极低的导通电阻（典型值仅2.3欧姆）意味着更少的能量损耗和发热，直接为您提升整机效率，降低散热成本。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业照明中的LED驱动，甚至是充电器适配器，它都能确保能量转换过程流畅而高效，让您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得用户对持久续航和稳定运行的赞誉。

选择AOI4N60，就是选择了一份安心与远见。AOS（Alpha & Omega Semiconductor）深厚的功率半导体设计底蕴，赋予了这颗芯片从-50°C到150°C的宽广工作温度范围，确保其在极端环境下依然表现稳健。TO-251A（IPAK）的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的装配工艺，极大简化了您的生产流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时，我们的AOS中国代理网络随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。让这颗集高性能、高可靠性于一体的MOSFET，成为您撬动市场成功的有力杠杆，开启能效新时代。

• 型号:AOI4N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4N60的官网价格：3500:$0.43902，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。