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AON6226

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6226参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,每一次技术突破都意味着系统性能的跃升。今天,我们为您带来一款能够重新定义功率密度与能效标准的明星产品AON6226。它不仅仅是一个MOSFET,更是AOS AlphaSGT技术家族的杰出代表,以其卓越的电气性能和坚固的可靠性,为您的设计注入澎湃动力,让复杂挑战迎刃而解。

想象一下,在严苛的工业电源、高功率密度DC-DC转换器或要求苛刻的电机驱动应用中,您需要一颗能够承受高压、通过大电流,同时将导通损耗降至最低的核心开关器件。AON6226正是为此而生。其100V的漏源电压和高达48A的连续漏极电流能力,为系统提供了宽广的安全工作裕度和强大的功率处理平台。更令人振奋的是,它在10V驱动下,导通电阻低至惊人的7.9毫欧,这意味着在相同的电流下,由它产生的热量将大幅减少,直接转化为更高的系统效率和更低的温升,让您的产品在竞争中脱颖而出,运行更冷静、更持久。

选择AON6226,就是选择了一份对卓越性能的坚定承诺。它采用了先进的AlphaSGT技术,在硅片层面实现了更优的电荷平衡与电场控制,这不仅带来了超低的Rds(On),还显著优化了开关特性。其栅极电荷(Qg)最大值仅为60nC,结合快速的开关速度,使得它在高频开关应用中游刃有余,能有效降低开关损耗,提升整体能效。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,确保了它在极端环境下依然稳定可靠。其紧凑的8-DFN-EP封装,在提供出色散热性能(最大功耗108W)的同时,极大节省了宝贵的PCB空间,是实现高功率密度设计的理想选择。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件时,可以随时联系我们的AOS代理商,获取专业的技术支持与供货保障,让您的创新之旅畅通无阻。

  • 型号:AON6226
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):60 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3130 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):108W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6226的官网价格:3000:$0.68376,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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