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AOI516_002

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-251B
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOI516_002参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS的卓越解决方案AOI516_002。这颗高性能N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能和坚固的物理特性,正重新定义着中低压、大电流应用的标准,为您的电源管理、电机驱动和负载开关设计注入澎湃动力与非凡信心。

想象一下,在您的DC-DC转换器中,需要一颗开关既迅捷又高效,以最小化损耗提升整体能效;在您的电动工具或无人机电调中,需要一颗驱动核心能承受瞬间大电流冲击,确保动力输出的强劲与稳定;或者在您的工业控制板卡上,需要一个可靠的负载开关,能够毫秒级响应,精准控制各路电源的通断。这正是AOI516_002大展身手的舞台。它高达30V的漏源电压和惊人的46A(Tc)连续电流能力,让它足以从容应对各种严苛的功率切换任务。其超低的5毫欧导通电阻(@20A,10V),意味着在导通状态下几乎不产生额外的热量与能量浪费,让您的系统运行得更凉爽、更持久,直接将性能优势转化为产品的市场竞争力。

选择AOI516_002,就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用坚固的TO-251B通孔封装,不仅提供了优异的散热路径,确保高达50W(Tc)的功率耗散能力,也使其在振动与热循环环境下表现出超凡的可靠性。宽广的-55°C至175°C结温工作范围,让它无惧严寒酷暑,适应从消费电子到工业自动化等各种环境挑战。其优化的栅极电荷(Qg仅33nC)和输入电容特性,让驱动电路设计更为简单,开关速度更快,进一步减少了开关损耗。虽然该型号已进入停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的市场验证,使其成为特定高可靠性需求或现有产品维护升级的绝佳选择。若您正在寻找此类经典型号的库存或替代方案,专业的AOS代理商将能为您提供最权威的供应链支持与技术咨询。让AOI516_002成为您设计中那颗最值得信赖的“动力之心”,开启高效、可靠的新篇章。

  • 制造商产品型号:AOI516_002
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1229pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-251B
  • AOI516_002的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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