




AOC2411
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:4-WLCSP(1.6x1.6)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOC2411参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AOC2411一款由业界领先的功率半导体专家AOS精心打造的P沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您释放产品潜能、实现设计飞跃的强大引擎。凭借其卓越的电气性能和微型的封装尺寸,AOC2411正重新定义着便携与高效的可能性,为您的创新构想提供坚实可靠的动力核心。
想象一下,在您掌中的智能手机需要更持久的续航,在您佩戴的智能手表里需要更精密的电源管理,或者在那些空间极其有限的物联网传感器模块中,每一毫瓦的功耗都至关重要。AOC2411正是为这些挑战而生的解决方案。其30V的漏源电压和3.4A的连续漏极电流能力,让它能够轻松驾驭从电池保护、负载开关到电源路径管理的多种关键任务。无论是为移动设备的主处理器进行高效供电切换,还是在可穿戴设备中实现优雅的休眠与唤醒,这颗芯片都能确保电能以最低的损耗、最精准的方式输送到需要的地方。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围,更是保证了从严寒到酷热的各种极端环境下,您的设备都能稳定运行,值得信赖。
那么,在众多选择中,为何AOC2411能脱颖而出,成为您的理想之选?答案在于它对“价值密度”的极致追求。首先,其采用先进的4-WLCSP(1.6x1.6mm)封装,在指甲盖大小的面积内集成了强大的功率处理能力,为您节省下宝贵的PCB空间,让产品设计更加纤薄、紧凑。其次,低至45毫欧的导通电阻(在4.5V驱动下)意味着更低的导通损耗,直接转化为更少的发热和更长的电池寿命,让终端用户享受更持久的体验。再者,优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作,提升了系统整体效率与响应速度。选择AOC2411,就是选择了一种集高性能、高可靠性、高空间利用率于一体的综合优势。如需获取官方正品与全面技术支持,敬请联络AOS总代理,他们将为您提供从选型到量产的一站式服务。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的设计与性能在特定应用和库存支持下,依然能为您的经典或特定项目带来不可替代的价值。立即行动,让AOC2411成为您下一个成功产品的幕后英雄!
- 型号:AOC2411
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:4-WLCSP(1.6x1.6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1630 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-WLCSP(1.6x1.6)
- 封装/外壳:4-UFBGA,WLCSP
- AOC2411的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























