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AOK60N30L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247
  • 技术参数:MOSFET N-CH 300V 60A TO247
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOK60N30L参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义高性能电源与电机驱动设计的卓越选择AOK60N30L。它不仅仅是一个参数表上的组件,更是您释放产品潜能、构建市场竞争优势的坚实基石。凭借其卓越的电气性能和坚固的物理特性,AOK60N30L旨在将复杂的功率转换挑战,转化为简洁、高效且可靠的解决方案,让您的设计脱颖而出。

想象一下,在服务器电源、工业变频器、高性能电焊机或是新能源车载充电机(OBC)等严苛的应用场景中,系统需要持续稳定地处理高电压、大电流。这正是AOK60N30L大显身手的舞台。其300V的漏源电压和高达60A的连续漏极电流能力,为处理主流AC-DC和DC-DC拓扑中的高压侧或低压侧开关提供了充足的裕量。无论是面对频繁启停的电机驱动冲击,还是要求极高功率密度的开关电源,这颗芯片都能以极低的导通损耗和出色的热管理能力,确保系统平稳、高效运行,显著延长设备寿命并降低整体温升,让您的终端产品在可靠性与能效上赢得用户信赖。

那么,在众多同类产品中,为何AOK60N30L是您不容错过的明智之选?答案在于它对“性能”与“稳健”的完美平衡。56毫欧的超低导通电阻(在10V驱动,30A条件下),意味着更低的通态损耗,直接转化为更高的系统效率和更少的散热需求。同时,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,确保了快速、干净的开关动作,既能减少开关损耗,提升频率潜力,又能简化驱动电路设计,有效抑制EMI问题。TO-247经典封装提供了强大的散热路径,支持高达658W的功率耗散,结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围,赋予了它无与伦比的环境适应性和鲁棒性。选择AOK60N30L,就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高性能保障。如需获取官方技术支持和正品供应,敬请联络AOS总代理,我们将全程助力您的项目成功。

  • 型号:AOK60N30L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):56 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):106 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5330 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):658W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • AOK60N30L的官网价格:240:$2.56175,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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