AON6484

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够为您的电源管理和电机驱动应用带来革命性提升的明星产品AON6484。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）先进半导体技术的结晶，旨在以卓越的性能和坚固的可靠性，助您轻松应对严苛的设计挑战，释放产品的全部潜能。

想象一下，在您的DC-DC转换器中，需要一颗能够高效、快速切换的开关；在您的电机驱动或电池保护电路中，渴望一个低损耗、高耐压的守护者。AON6484正是为此而生。其100V的漏源电压（Vdss）和高达12A（Tc）的连续漏极电流能力，为各种中高功率应用提供了坚实的保障。无论是服务器电源、工业自动化设备，还是电动工具、新能源车上的辅助系统，它都能游刃有余，确保能量传输的稳定与高效。其紧凑的8-DFN封装，在节省宝贵PCB空间的同时，通过优异的散热设计（功率耗散高达25W @ Tc），让高密度集成设计不再是难题。

选择AON6484，就是选择了一份安心与超越。其极低的导通电阻（Rds(On)最大值仅79mΩ @ 10V）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让高频工作下的性能依然强劲而稳定。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论严寒酷暑，性能始终如一。如果您正在寻找这样一款能全面提升产品竞争力的解决方案，我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供详尽的技术支持和可靠的供应链服务，与您共同打造下一个市场爆款。

• 型号:AON6484
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.3A/12A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:942 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6484的官网价格：3000:$0.45738，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。