




AOK8N80
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247
- 技术参数:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOK8N80参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子领域,一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在高压高功率应用中久经考验的明星产品AOK8N80。它不仅仅是一个MOSFET,更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石,承载着将电能精准、高效转换的重任。选择它,意味着您选择了经过市场验证的性能与AOS卓越的半导体技术基因,为您的产品注入持久动力与竞争优势。
想象一下,在那些对电压应力和功率处理能力要求严苛的场景中,AOK8N80正大显身手。无论是工业级开关电源(SMPS)的主功率变换、功率因数校正(PFC)电路,还是UPS不间断电源、电机驱动和逆变器系统,这颗800V耐压、7.4A连续电流能力的N沟道MOSFET都能从容应对。其TO-247封装提供了优异的散热路径,确保在高功率耗散下(最大245W)依然稳定工作,温度范围覆盖-55°C至150°C,从容应对各种恶劣环境挑战。这意味着,从数据中心的高效服务器电源到新能源领域的太阳能逆变器,它都能成为您设计中可靠的心脏。
那么,在众多选择中,为何AOK8N80值得您的青睐?首先,其1.63欧姆的低导通电阻(在10V驱动电压下)直接转化为更低的传导损耗,提升了整机效率,让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其次,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗,让开关电源设计更高效、更紧凑。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场、特定升级方案或对经典稳定设计有需求的场合中,依然具有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS总代理进行采购,这不仅是品质的保障,更是项目顺利推进的坚实后盾。
总而言之,AOK8N80代表了一个时代的高压MOSFET技术精华。它用扎实的参数和广泛的应用验证,告诉每一位工程师:可靠与高效,可以兼得。当您需要一颗能够扛起高压、大电流重任的开关器件时,它依然是那个值得信赖的经典选择,助力您的创意在电光火石间,稳定绽放。
- 型号:AOK8N80
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.63 欧姆 @ 4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):245W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
- AOK8N80的官网价格:480:$1.04238,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























